SJ/T 10482-1994
半導体の深いエネルギー準位の過渡静電容量 試験方法 (英語版)

規格番号

SJ/T 10482-1994

言語

中国語版, 英語で利用可能

制定年

1994

出版団体

Professional Standard - Electron

最新版

SJ/T 10482-1994

範囲

この規格は、過渡容量技術における深準位過渡分光法 (DLTS) 法を使用して、半導体材料の深いエネルギー準位を測定するための試験方法を指定します。 この標準は、シリコンやガリウムヒ素などの半導体材料内の半導体バンドギャップの不純物や欠陥によって生成される深いエネルギーレベルを測定するのに適しています。 この方法により、深部エネルギー準位の活性化エネルギー、濃度、前指数係数Aなどのパラメータを得ることができます。 この規格は、指数関数的な容量性過渡現象の生成に関連する深いエネルギー レベルに適用されます。

SJ/T 10482-1994 発売履歴

• 1994 SJ/T 10482-1994 半導体の深いエネルギー準位の過渡静電容量 試験方法