SJ 20016-1992
半導体ディスクリートデバイス GP、GT、GCT グレード 3DG182 タイプ NPN シリコン低消費電力高耐圧トランジスタ 詳細仕様 (英語版)
- 規格番号
- SJ 20016-1992
- 言語
- 中国語版, 英語で利用可能
- 制定年
- 1992
- 出版団体
- Professional Standard - Electron
- 最新版
- SJ 20016-1992
SJ 20016-1992 発売履歴
- 1992 SJ 20016-1992 半導体ディスクリートデバイス GP、GT、GCT グレード 3DG182 タイプ NPN シリコン低消費電力高耐圧トランジスタ 詳細仕様
