DLA MIL-PRF-19500/605 D-2013
半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量のみ) トランジスタ、N チャネル、シリコン、タイプ 2N7292、2N7294、2N7296 および 2N7298、JANTXVM、D、R、H および JANSM、D および R