DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011
半導体デバイス、電界効果放射線耐性 (総線量およびシングルイベント効果) トランジスタ、N チャネルシリコンタイプ 2N7512、2N7513 および 2N7514 JANTXVD、R および JANSD、R