DLA MIL-PRF-19500/685 D (1)-2009
半導体デバイス、電界効果放射線耐性トランジスタ、N チャネル、シリコン、タイプ 2N7475T1、2N7476T1、および 2N7477T1 (総線量およびシングルイベント効果)、JANTXVR および JANSR