DLA MIL-PRF-19500/741 A-2009
半導体デバイス、電界効果、放射線硬化（総線量およびシングルイベント効果）トランジスタチップ、NチャネルおよびPチャネル、シリコン、各種タイプ、JANHCおよびJANKC