DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008
半導体デバイス、N チャネルトランジスタ電界効果放射線耐性 (総線量および単一事象効果)、シリコンモデル 2N7405、2N7406、2N7407 および 2N7408、JANSD および JANSR