DLA MIL-PRF-19500/749-2008
半導体デバイス、電界効果トランジスタ、P チャネル放射線硬化 (総線量およびシングルイベント効果)、シリコン、タイプ 2N7506U8 および 2N7506U8C、JANTXVR、JANTXVF、JANTXVF、JANSR および JANSF