ARMY MIL-I-48331 A-1979
相補型金属酸化物半導体で作られたデジタル集積回路、タイムベースおよび特殊機能を備えた鉄製シリコン整流器発電機

規格番号

ARMY MIL-I-48331 A-1979

制定年

1979

出版団体

U.S. Military Regulations and Norms

状態

撤回

範囲

この仕様は、散乱型鉱山アセンブリのファミリーにおいて低電力タイムベースおよび特殊用途の関数発生器として使用される、単一のモノリシック相補対称金属酸化物半導体 (cR.ioS) マイクロ回路の詳細な要件をカバーしています。 衝撃の多い環境向けに設計されています。