IS 3972 Pt.2/Sec.2-1985
ガラスエナメルの試験方法 パート 2 試験方法 セクション 2: 欠陥の検出と位置を確認するための低圧および高圧試験

規格番号

IS 3972 Pt.2/Sec.2-1985

制定年

1986

出版団体

IN-BIS

範囲

この規格は、低電圧および高電圧を使用してガラス質ほうろう鋼板およびガラス質ほうろう鋳鉄製品の欠陥を検出および位置特定するための試験方法を規定しています。 注 1 — 低電圧試験は高電圧試験の代替として意図されたものではなく、金属ベースおよびエナメル層の弱い箇所にまで及ぶ欠陥を検出するための非破壊検査方法です。 注 2 — 高電圧試験の目的は、金属ベースにまで及ぶ欠陥と、エナメル層の弱い箇所、つまり、エナメル層の厚さが決められた必要な値を下回っている領域を検出して位置を特定することです。 高電圧の印加により、膨れ、異物混入、剥離、亀裂が発生する場合があります。