BS EN 60749-6:2002
半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 高温での保管
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BS EN 60749-6:2002
規格番号
BS EN 60749-6:2002
制定年
2002
出版団体
British Standards Institution (BSI)
状態
入れ替わる
2017-11
に置き換えられる
BS EN 60749-6:2017
最新版
BS EN 60749-6:2017
交換する
01/208602 DC-2001
BS EN 60749:1999
範囲
IEC 60749 のこの部分の目的は、電気的ストレスを加えずに高温で保管した場合のすべての半導体電子デバイスへの影響をテストして判断することです。 このテストは非破壊的であると考えられていますが、できればデバイスの認定に使用する必要があります。 このようなデバイスが分娩に使用される場合、この高度に加速されたストレス テストの影響を評価する必要があります。 一般に、高温での保管に関するこのテストは IEC 60068-2-48 に準拠していますが、半導体の特定の要件により、この規格の条項が適用されます。
BS EN 60749-6:2002 発売履歴
2018
BS EN IEC 60749-12:2018
半導体デバイス、機械的および気候的試験方法、振動、可変周波数
2002
BS EN 60749-12:2002
半導体デバイス、機械的および気候的試験方法、可変周波数振動
1999
BS EN 60749:1999
半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法
0000
BS 6493-3:1986
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