IEEE PC62.42.3/D3, December 2016
サージ保護デバイスおよび機器ポートにおける承認済みサージ保護コンポーネントの適用に関する IEEE ドラフト ガイドライン パート 3 シリコン PN 接合クランプ ダイオード

規格番号

IEEE PC62.42.3/D3, December 2016

制定年

2016

出版団体

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)

範囲

電力および通信サージ保護デバイス (SPD) および機器ポートで使用されるサージ保護コンポーネント (SPC) は、IEEE C62.42(TM) ガイド シリーズでカバーされています。 シリーズのパート 3 であるこのパートでは、シリコン PN 接合クランプ ダイオード SPC について説明し、順バイアス半導体ダイオード、ツェナー降伏半導体ダイオード、アバランシェ降伏半導体ダイオードなどのさまざまな技術を取り上げます。